Wettstreit zwischen SiC und GaN
Alles über 650 V wird auf absehbare Zeit eine SiC-Domäne bleiben, aber bis 650 V Sperrspannung eröffnen sich offenbar immer mehr Applikationsmöglichkeiten für GaN. GaN hat die Consumer-Elektronik als Startrampe für den Einstieg in die Industrie- und Automobilelektronik genutzt. Und bei Stromversorgungen für KI-Server wird es wohl auf einen Ideenwettbewerb zwischen 400-V-SiC-MOSFETs und GaN-Leistungshalbleitern hinauslaufen.
Смотрите видео Wettstreit zwischen SiC und GaN онлайн без регистрации, длительностью часов минут секунд в хорошем качестве. Это видео добавил пользователь Markt&Technik 07 Октябрь 2024, не забудьте поделиться им ссылкой с друзьями и знакомыми, на нашем сайте его посмотрели 2 раз и оно понравилось людям.