Kommt der SiC-IGBT?
Aktuell deutet nichts darauf hin, dass es bei SiC-MOSFETs in Zukunft nur noch Planar oder Trench beim Zellaufbau geben wird. Auch wenn die jüngsten Planar-Konzepte schon ziemlich viel Trenchartige Strukturen im Zellaufbau aufweisen. Interessant auch die Größenunterschiede etwa unter den verschiedenen Herstellern planarer SiC-MOSFETs. Klar scheint auch zu sein, in diesem Jahrzehnt wird wohl definitiv niemand mehr versuchen, ein neues Wide-Bandgap-Material wie Galliumoxid oder AIN zu kommerzialisieren.
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